IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，MCP礦用電纜絕緣柵雙極晶體管）已被廣泛使用，高電壓和大電流是其未來(lái)的發(fā)展方向，MCP礦用電纜近年來(lái)，它已在高壓直流輸電領(lǐng)域得到應(yīng)用。著功率容量的不斷提高，對(duì)設(shè)備的設(shè)計(jì)和制造提出了更高的要求。了縮短設(shè)計(jì)周期，提高效率，降低制造成本，應(yīng)采用計(jì)算機(jī)仿真，以大大提高工作效率。文使用ISE軟件根據(jù)帶外情況進(jìn)行仿真研究。果表明，該軟件仿真方法可以有效指導(dǎo)設(shè)備生產(chǎn)。于高壓高電流IGBT的制造，MCP傳統(tǒng)的外延方法不再適用[1]。MCP礦用電纜將器件直接放置在硅單晶上已導(dǎo)致工藝流程的改變。了提高效率，MCPMCP降低制造成本，從單晶硅材料的選擇到加工技術(shù)的每一步都有系統(tǒng)和嚴(yán)格的要求[2]。算機(jī)仿真設(shè)計(jì)方法可以顯著提高生產(chǎn)可靠性，包括結(jié)構(gòu)過程仿真，電氣特性仿真和布局設(shè)計(jì)[3]。用計(jì)算機(jī)軟件對(duì)IGBT器件的過程進(jìn)行仿真，即，通過適當(dāng)調(diào)節(jié)擴(kuò)散過程的溫度，時(shí)間和氣氛，MCP礦用電纜采煤機(jī)模擬了最佳器件參數(shù)，例如硼-磷結(jié)深度，采煤機(jī)并最終獲得了理想的器件結(jié)構(gòu)。文設(shè)計(jì)的IGBT器件是基于透明陽(yáng)極技術(shù)的NPT型IGBT。用環(huán)形現(xiàn)場(chǎng)卡的混合終端結(jié)構(gòu)[4]。程仿真的二維結(jié)構(gòu)如圖1所示。過程仿真生成的器件結(jié)構(gòu)的電特性進(jìn)行了仿真，MCP礦用電纜MCP礦用電纜并獲得了器件關(guān)鍵參數(shù)的仿真曲線[5]。
　　值電壓的仿真。真結(jié)果表明，影響閾值電壓的因素首先是P阱區(qū)的摻雜濃度及其雜質(zhì)分布，采煤機(jī)然后是柵氧化層的厚度。電纜發(fā)現(xiàn)器件的通道越長(zhǎng)，雜質(zhì)的分布越平坦，并且越容易控制閾值電壓。在實(shí)際工藝中，由于P阱區(qū)的摻雜和退火工藝與雜質(zhì)的重新分布密切相關(guān)，因此應(yīng)該對(duì)其進(jìn)行優(yōu)化，MCP礦用電纜以最大程度地減小P阱區(qū)的雜質(zhì)分布的波動(dòng)。以獲得更穩(wěn)定的閾值電壓。最終提高了設(shè)備??參數(shù)的一致性和一致性[6]。值電壓的特性曲線在圖2中示出。

　　真結(jié)果表明，采煤機(jī)芯片厚度，MCP礦用電纜襯底摻雜濃度，P體摻雜濃度和柵氧化層厚度都是影響該狀態(tài)下特性的因素。通狀態(tài)下的特性曲線如圖3所示。真結(jié)果表明，影響開關(guān)參數(shù)的因素包括P 陽(yáng)極的摻雜濃度，電纜柵氧化層的厚度，MCP多晶硅的厚度和摻雜濃度。果存在N 緩沖層，電纜則與摻雜濃度和緩沖層（7）的厚度有關(guān)。開關(guān)參數(shù)與芯片的總體布局，MCP特別是多晶硅柵極的布局結(jié)構(gòu)有很大關(guān)系。
　　關(guān)特性曲線如圖4所示。據(jù)過程仿真的結(jié)果，電纜確定器件的橫向尺寸，并繪制芯片布局，如圖5所示。

　　
　　過過程仿真和仿真器的電氣特性進(jìn)行仿真IGBT，電纜充分結(jié)合了流片測(cè)試情況，研究結(jié)果表明，計(jì)算機(jī)仿真結(jié)果與測(cè)試數(shù)據(jù)非常吻合，MCP礦用電纜電纜為器件的制造提供了有力的支持[8]。
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